小電容（小于500pF）試品主要有電容型套管、3~110kV電容式電流互感器等。對這些試品采用QS1型電橋的正、反接線進行測量時，其介質(zhì)損耗因數(shù)的測量結果是不同的，如表1其原因分析如下。
表1 LCWD-110電流互感器采用不同測量接線的測量結果
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正接線
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反接線
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一次對二次
（外殼接地）
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一次對二次
（絕緣）
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一次對二次及外殼
（接地）
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Cx
(pF)
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tgδ
(%)
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Cx
(pF)
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tgδ
(%)
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Cx
(pF)
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tgδ
(%)
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50
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3.3
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56.6
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3.5
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81
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2.2
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按正接線測量一次對二次或一次對二次及外殼（墊絕緣）的介質(zhì)損耗因數(shù)，測量結果是實際被試品一次對二次及外殼絕緣的介質(zhì)損耗因數(shù)。而一次和頂部周圍接地部分的電容和介質(zhì)損耗因數(shù)均被屏蔽掉（電橋正接線測量時，接地點是電橋的屏蔽點）。由表2-45可見，一次對二次的電容量為50pF，而一次對二次及外殼（墊絕緣）的電容量為56.6pF，一次對外殼的電容量約為6.6pF，約為一次對二次及外殼總電容的1/9，這主要是油及瓷質(zhì)絕緣的電容。由于電容很小，所以在與一次對二次電容成并聯(lián)等值電路測量時，一次對外殼的影響很小。因此為了在現(xiàn)場測試方便，可直接測量一次對二次的絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)便可以靈敏地發(fā)現(xiàn)其進水受潮等絕緣缺陷，而按反接線測量的是一次對二次及地的絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)值。此時一次和頂部對周圍接地部分的電容為81-56.6=24.4（pF），為反接線測量時總試品電容的30%。而這部分的介質(zhì)損失主要是空氣、絕緣油、瓷套等，在干燥及表面清潔的條件下，這部分的介質(zhì)損耗因數(shù)一般小于10%。由于試品本身電容小，而一次和頂部對周圍接地部分的電容所占的比例相對就比較大，也就對測量結果（反接線測量的綜合介質(zhì)損耗因數(shù)）有較大的影響。
由于正接線具有良好的康電場干擾，測量誤差較小的特點，一般應以正接線測量結果作為分析判斷絕緣狀況的依據(jù)。
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